详细介绍

     WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。手动设备适合于许多不同的应用,例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子系统的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒(自由基)产生的纯化学反应。

  WB5050微波等离子刻蚀机操作简便,易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部,距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生,可以处理所有尺寸的晶圆,包括8"和12" 的带框架的晶圆。

  该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产

>>产品特点:
    > 极低的基板热负荷,专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化(如MEMS应用)
    > 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8,或其他环氧基物质
    > 速度快
    > 无有机残留物
    > 纯化学蚀刻:无离子损伤,各向同性
    > 无热冲击:仅依靠反应能量进行。对金属无损伤,如镍, 镍/铁, 金, 铜等
    > 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤,如SiO2 或 Si3N4
    > 可进行高度比极大的蚀刻
    > 可剥离超厚光刻胶层(大于1mm)
    > 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻
    > 温度控制高达120℃
    > 基板尺寸可达 460mm x 460mm
    > 高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关
    > 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关;
    > 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10%
    > 高度自动化,对每块基板可实现结束点检测
    > 高度符合环保要求

>> 相关应用

  -  MEMS

  半导体晶圆刻蚀 


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